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国产芯片制造装备打破国外垄断：我国首套碳化硅晶锭激光 ...
2 天之前 国产芯片制造装备打破国外垄断：我国首套碳化硅晶锭激光剥离设备投产. 中国芯,中国造,中国装备!8月23日,记者从江苏通用半导体有限公司获悉,由该 ...2024年3月22日 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展. 中国，上海—2024年3月20日， 半导体 行业盛会 SEMICON China 2024启幕， 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
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碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延 ...
2023年9月14日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市 2024年3月28日 针对中国市场需求与客户痛点，PVA TePla打造的碳化硅晶体生长设备“SiCN”以自身的四大优势来助力中国半导体产业高质量发展：. 1．定制化系统 ...首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展 ...
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
2023年7月14日 碳化硅全产业链提速. 作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制 2024年3月22日 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展. 中国，上海 —2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕， 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
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第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎
2021年8月16日 特斯拉是全球第一家将碳化硅 MOSFET 应用于商用车主逆变器的厂商，Model 3 的主逆变器采用了意法半导体生产的 24 个碳化硅MOSFET 功率模块。 比亚 5 天之前 突破高可靠芯片设计、电流密度增强等SiC MOSFET（碳化硅 金属—氧化物—半导体场效应管）芯片关键技术，形成650V-1200V大电流 SiC MOSFET器件系列产品，关 突破6英寸碳化硅MOSFET量产，国家第三代半导体技术创新 ...
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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设
2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代， 2 天之前 中国芯,中国造,中国装备!8月23日,记者从江苏通用半导体有限公司获悉,由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备已经正式 ...国产芯片制造装备打破国外垄断：我国首套碳化硅晶锭激光 ...
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首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展 ...
2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎
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碳化硅晶圆应力检测设备介绍 - 艾邦半导体网
4 天之前 碳化硅半导体 产业链很长，为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论，目前加入的企业有三安，晶盛电机，基本半导体，华润微，晶 ...2023年6月22日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括：什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
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大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 - 艾邦半导体网
5 天之前 本项目研发的设备不仅用于碳化硅晶锭切割和晶片减薄，也可以用于 氮化镓、氧化镓、金刚石等激光加工。 来源：南京大学官网 为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的2022年12月1日 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广泛使用；第二代化合物半导体材料包括砷化镓和磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望 ...一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
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A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技 - 知乎
2021年1月12日 第六位：楚江新材 最大的铜板带材生产企业 在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺 ...2021年10月21日 外延片作为半导体原材料，位于半导体产业链上游，是半导体制造产业的支撑性行业。 外延片制造商在衬底材料上通过CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）设备、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）设备等进行晶体外延生长、制成 第三代半导体器件制备关键环节：外延（上） - 联盟动态 ...
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晶盛机电：迈向半导体+碳化硅设备龙头，设备+零部件布局 ...
2023年7月17日 半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台 ...东莞市森烁科技有限公司 东莞市森烁科技有限公司自2010年成立以来，专注于半导体单晶硅材料及其制品研发、生产和销售，公司拥有先进的具备自主知识产权的核心技术和工艺，配备优良的生产、检测设备和管理系统，为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从调试级硅片（Dummy Wafer）,测试 ...东莞森烁科技有限公司_东莞单晶硅片_广东单晶硅_氧化硅片 ...
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碳化硅晶片加工过程及难点 - 知乎
2022年1月21日 芯片失效分析 半导体元器件失效分析可靠性测试 2022-01-21 21:40采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点。这样的产品基础上游材料，必然会收到下游市场的大量采2024年4月30日 北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，总部位于北京市大兴区，是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业之一，也是国内碳化硅单晶衬底领域生产规模较大、产品种类较全的碳化硅衬底供应 天科合达官网 - TankeBlue
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碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 - 九域半导体科技 ...
2024年1月26日 非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体, 主要攻克国外垄断技术,替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。 主要产品： 非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流 ...2023年12月31日 SiC衬底晶片的制备 在第三代半导体中，SiC的主要用途为制造衬底晶片和外延片。将高纯度SiC粉体在特殊工艺下生成SiC晶体，过切割、研磨、抛光、清洗等工序，制成SiC衬底晶片。SiC衬底晶片经过外延生长、器件制造等环节，可制成SiC基功率器件和 第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述_碳化硅射频器件 ...
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技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工16 小时之前 中科光智的决心：打造高可靠性封装、SiC芯片封装设备“矩阵”,碳化硅,可靠性,中科光智,半导体行业,sic芯片封装设备 （文/姜羽桐）当摩尔定律走向物理极限，超越摩尔定律(More Than Moore)成为一种路径选择，半导体器件可靠性要求不断提高，衍生新的挑战与机遇；同时，伴随传感器、激光器、IGBT ...中科光智的决心：打造高可靠性封装、SiC芯片封装设备“矩阵 ...
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碳化硅，跨入高速轨道-全球半导体观察
2024年8月19日 目前，天科合达旗下碳化硅衬底生产项目已达5个，包括位于北京的现有厂区为公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目（一期项目），第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目；位于江苏的碳化硅晶片一期项目，以及二期项目；位于深圳的第三2023年6月30日 根据SEMI统计，2021年全球半导体设备行业市场规模为1026.40亿美元，同比增长44.18%，其中中国市场为296.20亿美元。随着下游应用领域的快速发展，半导体产业面临着新型芯片或先进工艺的产能扩张需求，为半导体设备行业带来广阔的市场空间。芯片是怎么来的，离不开晶体生长设备
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碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
2023年3月13日 概述 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节： 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶 4 天之前 采用 碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以 提高能量转换效率并减小产品体积 等特点。 这样的产品基础上游材料，必然会收到下游市场的大量采用。 碳化硅上下游产业链 在碳化硅晶片生产中，衬底是碳化硅产业链最核心的环节，直接制约碳化硅应用 一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
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提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划
2 天之前 博世集团董事会成员Harald Kroeger：“博世希望成为全球领先的电动出行碳化硅（SiC）芯片生产供应商。” 碳化硅半导体能够显著提高电动汽车的行驶里程和充电速度。预计于2021年12月启动大规模量产。自2021年初起，博世便开始生产用于客户验证的碳化硅东莞森烁科技有限公司电话：13751445500，专注于半导体单晶硅材料及其制品研发、生产和销售，为客户提供全面的硅片解决方案，从调试级硅片,测试级硅片等，尺寸覆盖2寸—12寸,并可提供半导体硅片单面/ ...碳化硅晶片-新闻资讯-东莞市森烁科技有限公司
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国产12寸SiC亮相！还有20+值得关注的新技术-第三代半导体风向
2024年3月22日 天成半导体专注于SiC衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造，现已完成6、8英寸SiC单晶衬底技术攻关，并掌握SiC生长装备制造、SiC粉料制备、导电型及高纯半绝缘SiC单晶衬底制备工艺，拥有SiC粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，从SiC设备2020年9月21日 第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析_器件
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎
2023年11月12日 公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛光片，目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备 ... 2、杨 金等.第三代半导体SiC芯片 关键装备现状及发展趋势 来源于艾邦半导体网，作者艾邦团队 半导体工程师半导体经验分享 ...2024年1月24日 碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能，在现代工业领域应用广泛： 在半导体领域，利用其具有禁带宽度、击穿场强高和导热性良好等特性，SiC成为继第一代半导体硅(Si)和第二代半导体砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体理想材料；在光学镜面领域 ...【半导体】干货丨碳化硅晶片的化学机械抛光技术-电子工程专辑
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国内碳化硅外延厂商产能情况及动态 - 艾邦半导体网
2023年10月31日 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司于2011年在厦门火炬高新区成立，是我国第一大碳化硅半导体纯外延晶片生产商，也是国内首家 提供商业化6英寸碳化硅外延晶片的生产商，公司产品主要供应新能源汽车、光伏等领域，终端客户包括特斯拉、蔚 ...2021年7月21日 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端 ...碳化硅，第三代半导体时代的中国机会--经济科技--人民网
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